在一片“摩尔定律已死”的论调中，斯坦福和麻省理工的科学家们联手，成功在一个90纳米晶圆上，造出了性能远超先进2D芯片的单片3DAI芯片。这项突破性技术不仅解决了AI大模型的“内存墙”困境，更展示了在成熟工艺上实现性能飞跃的巨大潜力。...
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在一片“摩尔定律已死”的论调中，斯坦福和麻省理工的科学家们联手，成功在一个90纳米晶圆上，造出了性能远超先进2D芯片的单片3DAI芯片。这项突破性技术不仅解决了AI大模型的“内存墙”困境，更展示了在成熟工艺上实现性能飞跃的巨大潜力。...